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臺積電公布N2 2nm缺陷率:比3/5/7nm都要好

本站4月26日消息,在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上,臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況,比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。

臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù),只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。

臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管,目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個季度,也就是要等到年底。

N2試產(chǎn)近2個月來,缺陷率和同期的N5/N4差不多,還稍微低一點,同時顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。

從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時間周期內(nèi),N7/N6的綜合缺陷率是最高的,N3/N3P從量產(chǎn)開始就低得多了,N5/N4情況更好,從試產(chǎn)開始就明顯更低。

N2如果能延續(xù)N5/N4的趨勢,前景無疑是非常光明的。

臺積電還指出,一種工藝的缺陷率能否快速降低,除了取決于本身的設(shè)計和技術(shù),也要看制造芯片數(shù)量、產(chǎn)能規(guī)模,越多越大就越容易發(fā)現(xiàn)缺陷并改進。

臺積電N2已流片的芯片數(shù)量就明顯更多,也是其能夠快速降低缺陷率的關(guān)鍵原因。

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