本站5月16日消息，鎧俠（Kioxia）近日推出采用BiCS8 TLC 3D閃存技術(shù)的CM9系列PCIe 5.0 NVMe SSD，成為首款應(yīng)用該技術(shù)的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品。
其核心創(chuàng)新在于CBA（CMOS直接鍵合陣列）技術(shù)——通過獨(dú)立優(yōu)化CMOS晶圓與存儲(chǔ)單元晶圓的生產(chǎn)流程后鍵合組裝，實(shí)現(xiàn)了性能與能效的突破性提升。
CBA技術(shù)使閃存密度翻倍，同時(shí)提升電源效率與可持續(xù)性表現(xiàn)，為企業(yè)級(jí)高負(fù)載場(chǎng)景提供更高容量與更低功耗方案。
同時(shí)，新款SSD順序讀寫速度分別達(dá)14.8 GB/s（讀取）和11 GB/s（寫入）（128 KiB/QD32測(cè)試條件），符合PCIe 5.0、NVMe 2.0及NVMe-MI 1.2c規(guī)范，兼容OCP數(shù)據(jù)中心NVMe SSD 2.5標(biāo)準(zhǔn)。
針對(duì)數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算環(huán)境優(yōu)化，其支持高吞吐量與低延遲需求，目前已向特定客戶提供樣品。
作為首批采用BiCS8閃存的PCIe 5.0 SSD，CM9系列標(biāo)志著閃存技術(shù)從堆疊層數(shù)競(jìng)爭(zhēng)轉(zhuǎn)向異構(gòu)集成創(chuàng)新。CBA技術(shù)可能成為未來高密度存儲(chǔ)解決方案的新方向，尤其適合AI訓(xùn)練、實(shí)時(shí)分析等高性能計(jì)算場(chǎng)景。
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