本站5月23日消息，SK海力士宣布，正在基于其321層堆疊4D NAND閃存的新一代UFS 4.1存儲方案，將于2026年第一季度到來，可大大提升智能手機的存儲性能。
SK海力士稱，這種新的存儲芯片厚度只有區區0.85毫米，比之前238層堆疊的1.0毫米又縮小了15％，而且依然可以維持高達4.3GB/s的最高持續讀取速度。
這樣的性能，已經超過了最好的PCIe 3.0 SSD。
同時，隨機讀寫性能分別提升了15％、40％，更適合手機這種頻繁讀寫小文件的設備，但未透露具體數據。
能效方面，SK海力士也宣稱提升了7％，有利于延長續航，但也沒有給出具體數據。
不過，堆疊層數上去了，總容量并沒有變，目前還是512GB、1TB。
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