本站9月2日消息，HBM高帶寬內存在AI時代愈發重要，價值不輸高性能GPU本身，也是當前內存技術的制高點，目前生產主要集中在韓國SK海力士、三星及美國的美光公司手中。

國內的存儲芯片企業一方面在擴增產能，一方面也在加快從DDR4到DDR5的技術升級，面對HBM內存當然也不會錯過機會，韓國ZDNet Korea報道稱長江存儲YMTC正在聯合長鑫存儲CXMT合作研發HBM3內存。

兩家分家是國內最大的閃存、內存芯片廠商，報道稱最快今年底雙方就可能訂購針對HBM的研發設備。

此前長鑫存儲研發過HBM2內存，但HBM3及之后的內存對芯片堆棧的要求更高，而長江存儲在閃存研發中積累了豐厚的經驗，其Xtacking技術可以將芯片電路混合鍵合起來。

該技術已經問世5年，長江存儲生產的3D閃存已經大量應用，已經量產了270層堆棧的3D閃存，也是全球主要的混合鍵合專利持有者，2017到2024年間披露的專利數超過119項，比三星的85項還多，目前還在持續增加中。

目前這兩家公司還沒有回應這一傳聞，但不論是合作研發還是自己研發，國產的HBM3e內存最快今年獲得認證，2年內開始生產，未來這一市場不會再被美國韓國公司壟斷了。

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